سامسونغ وIBM تكشفان عن اختراق جديد ورائد "يمكنه" الحفاظ على شحن الهواتف لمدة أسبوع!

وتتميز الرقاقة بتصميم ترانزستورات تأثير مجال النقل العمودي الجديد (VTFET)، والذي يضع ترانزستورات عمودية على سطح الشريحة، ما يسمح بتدفق تيار عمودي. والتصميم الرأسي هو المفتاح لتحويل صناعة أشباه الموصلات، حيث يمكن أن يقلل من استخدام الطاقة بنسبة 85%.

ويتضمن "قانون مور" فرضية أن عدد أجهزة الإرسال في رقاقة يتضاعف كل عامين، وبالتالي تحسين السرعة والقدرة.

ويحدث هذا نتيجة للتحسينات التكنولوجية المختلفة، مثل الزيادة في عدد الترانزستورات التي يمكن وضعها داخل رقاقة ميكروية.

ولكن الخبراء حذروا من أن الرقائق الحالية معرضة لخطر نفاد المساحة لاستيعاب أحدث التقنيات.

وبفضل تصميم VTFET من شركة IBM، يمكن تعبئة المزيد من الترانزستورات لكل مليمتر مربع في الشريحة الجديدة، التي تسلط الضوء أيضا على "الدور الحاسم للاستثمار في بحث وتطوير الرقائق وأهمية الرقائق في كل شيء بدءا من الحوسبة إلى الأجهزة وحتى أجهزة الاتصال وأنظمة النقل والبنية التحتية الحيوية"، وفقا لبيان صحفي.

وقال موكيش خير، نائب الرئيس، بالسحابة المختلطة والأنظمة بأبحاث IBM، في بيان يوم الثلاثاء: "يتعلق إعلان التكنولوجيا اليوم بتحدي الاتفاقية وإعادة التفكير في كيفية استمرارنا في النهوض بالمجتمع وتقديم ابتكارات جديدة تعمل على تحسين الحياة والأعمال وتقليل التأثير ببيئتنا. ونظرا للقيود التي تواجهها الصناعة حاليا على جبهات متعددة، تُظهر IBM وسامسونغ التزامنا بالابتكار المشترك في تصميم أشباه الموصلات والسعي المشترك لما نسميه "التكنولوجيا الصلبة''".

إقرأ المزيد

روسيا.. الحصول على أنواع جديدة من الوقود من نفايات تكرير النفط

ونظرا لأن الرقائق التقليدية تبني الترانزستورات لوضعها بشكل مسطح على سطح أشباه الموصلات، فإنها تحد من عدد الترانزستورات التي يمكن تعبئتها في المنطقة.

وهذا ما يسمى الترانزستورات ذات التأثير الميداني (finFET) وهو التصميم الشائع في رقائق اليوم.

ومع ذلك، اكتشفت سامسونغ أن هناك مساحة أكبر عند استخدام التصميم العمودي.

وكما جاء في البيان الصحفي لشركة IBM: "تعالج عملية VTFET العديد من العوائق التي تحول دون الأداء والقيود لتوسيع "قانون مور"، حيث يحاول مصممو الرقائق تعبئة المزيد من الترانزستورات في مساحة ثابتة".

كما أنه يؤثر على نقاط الاتصال الخاصة بالترانزستورات، ما يسمح بتدفق تيار أكبر مع طاقة أقل هدرا.

وفي الآونة الأخيرة، أعلنت IBM عن اختراق تقني للرقاقة 2 نانومتر والذي سيسمح للرقاقة بتركيب ما يصل إلى 50 مليار ترانزستور في مساحة بحجم ظفر الإصبع.

ووفقا لشركة IBM، "يركز ابتكار VTFET على بُعد جديد تماما، والذي يوفر مسارا لاستمرار قانون مور".

وصممت IBM وسامسونغ أيضا الشريحة الجديدة على أمل تخفيف صراعها مع النقص العالمي في الرقائق الذي بدأ بمجرد إغلاق العالم بسبب فيروس كورونا.

وعندما اضطرت المصانع إلى الإغلاق على أمل وقف انتشار الفيروس، أدى ذلك إلى انخفاض كبير في المواد المستخدمة في تصنيع الرقائق - واستمر ذلك لعدة أشهر.

وبسبب النقص، اضطرت العديد من شركات الإلكترونيات لتقليل عدد المنتجات المتاحة وحتى تأخير إطلاق منتجات جديدة إلى العام المقبل.

المصدر: ديلي ميل